三星、SK海力士掀起扩产潮，如何影响全球存储格局？
韩国6月29日宣布的AI投资计划受世界瞩目，然而，深度参与相关计划的三星电子（005930.KS）和SK海力士（000660.KS）股价当天分别跌了4.86%、1.68%，6月30日盘中股价持续震荡。资本市场是否买单、将对存储产业造成什么影响，成为业界最新关注的焦点。
分析人士认为，两大韩国存储厂商扩产计划主要针对服务器DRAM（动态随机存取存储器）和HBM（高带宽内存）产品，是否影响存储竞争格局，还要视其他厂商后续释放的产能扩张计划判断。
产能竞争开启
昨日，韩国政府联手三星、SK集团公布了总计4755万亿韩元的企业国内投资计划，围绕半导体、物理AI、AI数据中心三类核心超级项目。韩国西南部计划投资800万亿韩元（约5180亿美元）建设四座半导体制造厂，三星电子和SK海力士计划各建两座。
具体至企业，SK海力士计划投资1100万亿韩元扩大DRAM和NAND闪存供应。三星计划在光州投入400万亿韩元新建一座晶圆制造厂，三星电子计划在天安、温阳投入56万亿韩元新建HBM厂。
随着两大韩国存储厂商宣布最新扩产计划，新一轮产能竞争开启。
从既有格局看，据Counterpoint数据，今年第一季度三星电子、SK海力士、美光（MU.O）、长鑫分别占全球DRAM市场份额38%、29%、22%、8%，三星电子、SK海力士、美光、铠侠、闪迪（SNDK.O）和长江存储分别占NAND闪存市场份额29%、18%、13%、14%、13%、13%。
韩厂三星电子和SK海力士已在两类存储晶圆市场占据优势，DRAM领域的竞争对手是美国厂商美光和中国厂商长鑫，NAND闪存领域的竞争对手是美国厂商美光和闪迪、日本厂商铠侠和中国厂商长江存储。
韩厂之外，美光预计2026财年资本支出约270亿美元，2027财年各季度资本支出都超过100亿美元。长鑫则计划IPO募资295亿元，用于DRAM存储器技术升级项目、存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目等。
在存储因AI需求爆发而短缺的情况下，哪家厂商扩产快，业界认为就有可能率先吃下红利并改变行业格局。
韩厂宣布最新扩产计划前，业界综合各厂商扩产速度，预计要到2027年才有新一波存储产能进入市场，如三星P5工厂量产时间为明年下半年。也有声音认为单家厂商的扩产足以对供应情况造成影响，三星电子DS部门前负责人Kye-hyunKyung 就在5月预测，最早明年下半年存储供应出现拐点，将主要原因指向了中国企业积极扩大产能。
现在，韩国存储厂商也在积极扩大产能。但由于存储扩产仍需较长周期，业界仍未更新存储供给出现拐点的时间。
TrendForce集邦咨询分析师许家源告诉记者，新厂量产时间点多落在2027年下半年至2028年之间，在此之前DRAM供不应求仍难扭转。而就韩厂最新扩产计划是否影响存储竞争格局，他表示，AI驱动的需求成长强劲，预计各供应商将陆续释出产能扩张计划，最终各供应商的市场份额将视扩产计划的落实情况及客户组成而定。