存储芯片涨价潮分化产能扩张难解近渴
存储芯片涨价潮分化 产能扩张难解近渴
2026年11月06日 21:4
存储芯片 市场的涨价行情仍在延续，但不同产品之间的供需关系正在出现新的变化。
最新市场数据显示，10月通用型DRAM价格继续上涨，部分产品价格已创下近十年新高；与此同时，NAND闪存市场则呈现出另一番景象：部分成熟制程产品价格继续攀升，部分消费级闪存产品的涨价动力却有所减弱，渠道市场甚至出现价格松动。
这一变化发生在全球存储巨头业绩屡创新高，并相继宣布扩大产能投资的背景下。随着 人工智能 基础设施建设持续吸收存储产能， 数据中心 与 消费电子 之间的资源竞争愈发明显。但存储价格不断上涨，也开始反过来抑制下游需求。
但这可能并不是供需关系出现逆转的迹象，而是意味着 存储芯片 市场随着终端需求侧的变化，进一步走向分化。
DRAM价格再创新高
这一轮 存储芯片 涨价，DRAM市场的供需紧张最为突出，因此也是迄今为止行情最为强势的品类。
根据集邦咨询旗下DRAMeXchange统计，10月通用型DRAM产品DDR4 8Gb（1Gx8）的平均合约价格达到27.5美元，较9月的26美元上涨5.77%。对比2016年6月开始追踪统计时的2.9美元，累计涨幅已经达到约9.5倍。
该机构还预计，2026年第四季度PC DRAM合约价格将环比上涨13%至18%。这意味着，即便PC终端需求并不强劲，DRAM价格仍然可能继续上涨。
价格持续走高的背后，是存储厂商的产能配置正在发生结构性变化。
近年来， 人工智能 训练和推理带动HBM、高容量服务器DRAM等产品需求快速增长。与传统PC、手机存储相比， 数据中心 市场对高性能存储产品的需求更为旺盛，也为存储原厂提供了更高的盈利空间。
因此，三星、 SK海力士 、美光等厂商持续将投资和产能资源向高附加值产品倾斜。传统消费级DRAM即使需求没有明显增长，也可能因为供给受到压缩而出现价格上涨。
这种变化也反映在存储巨头的经营表现上。三星、 SK海力士 等存储芯片巨头近期公布的季度业绩均显示， 人工智能 相关存储需求已成为推动盈利增长的重要力量，部分业务业绩创下 历史新高 。
Counterpoint Research研究总监MS Hwang对21世纪经济报道记者分析，当前市场上存储芯片的供应短缺，实际上是行业在2023年至2025年下行周期中投资减少所导致的结果。随着存储厂商目前开始实现盈利，投资也随之增加。
“面向未来的投资需要以当前的盈利能力为基础。过去，供应商和政府可以通过信贷和债务为投资提供资金支持，但如今这种情况已经不复存在。”他补充道。
当然，面对当前显著的供需紧张行情，今年存储芯片巨头们已经纷纷宣布开启扩产。不过短期内，或许还很难看到供需关系出现明显扭转。
MS Hwang对记者分析， 考虑到从投资到产能投产至少需要两年的时间，这些新增投资预计将从2027年下半年开始逐步转化为实际产能增长。
但在备受关注的 消费电子 领域，即便这些大厂的新开产能逐渐落地，也未必能吸收这些供给。
“我们预计，未来至少几年内，新增投资仍将主要集中在 数据中心 领域。 若要使产能分配重新向手机存储倾斜，智能手机行业必须实现复苏。 ”MS Hwang对21世纪经济报道记者指出，然而，目前手机市场尚未找到AI领域新的“杀手级应用场景”，同时还面临存储成本上涨和用户换机周期延长等问题。
从存储芯片巨头此前的表态也能窥见其策略：从追求整体出货规模，转向优先保障高附加值、高利润率的AI存储产品。这种产能结构调整，对传统DRAM市场形成了间接挤压。
由此来看， 消费电子 存储供应紧张的问题，不仅取决于存储原厂何时扩产，还取决于手机等终端市场能否重新证明自身的增长潜力。
NAND市场出现分化
与DRAM相比，NAND闪存市场的价格走势更加复杂。
根据集邦咨询统计，10月，通用型MLC NAND产品128Gb（16Gx8）的平均价格为30.61美元，环比持平。与此同时，SLC NAND价格仍保持上涨，10月部分产品价格环比涨幅达到5%至10%，其中4Gb及以上容量产品涨幅约为9.0%至9.9%。
不同产品之间的价格差异，反映出NAND内部需求结构正在发生变化。
一方面， 汽车 电子 、工业控制、低轨卫星等应用对部分SLC产品形成支撑，加上成熟产品供应资源相对有限，相关产品价格仍具备上涨动力。
另一方面，消费级SSD及部分TLC、QLC闪存资源的渠道市场价格则出现松动。
第三方机构闪存市场的调研显示，11月伊始，存储现货整体需求延续上月低迷市况，实际成交乏力，渠道消费类SSD及嵌入式eMMC价格延续小幅调降，行业SSD和内存条、LPDDR4X/5X价格普遍以持平为主。
该机构指出，总的来说，近期嵌入式市场多以小单成交为主，实际成交价格仍在下探，本周eMMC价格继续下调，LPDDR4X/5X以及UFS产品价格持平。
需要注意的是，晶圆贸易价格、原厂合约价格与终端SSD价格并不属于同一统计口径。渠道价格回落，更多反映了流通环节的库存和采购情绪变化，尚不足以证明NAND整体供需关系已经逆转。
对于DRAM与NAND之间的价格差异，MS Hwang向记者分析道， 这源于两者的需求价格弹性不同。
简单来说，DRAM会直接影响到应用侧的体验。如果DRAM供应不足，会导致应用侧的系统性能下降，但如果NAND供应不足，用户仍然可以通过云端存储或其他替代方案来满足数据存储需求。
“此外，DRAM行业正在快速增长的HBM等产品，需要占用传统通用型产品三倍以上的晶圆产能。虽然业内也在讨论NAND领域的HBF等产品，但目前距离商业化仍为时尚早。”他进一步对记者分析道。同时，NAND市场内部也正在针对移动端和服务器应用进行产品差异化布局。这是因为，为了抵消DRAM成本上涨带来的压力，AI数据存储正在采用成本更低的NAND产品。
不过，MS Hwang并不认为NAND的涨价动力已经减弱，这也是供需关系决定的。他指出，与DRAM行业投资大幅增长不同，NAND领域的投资仍然有限。 换言之，NAND的涨价主要源于存储芯片巨头对此并未积极开展产能扩充。
这也意味着，NAND市场当前出现的价格松动，更可能是不同产品、不同交易环节之间的结构性分化，而非整个行业涨价周期的结束。
特别是在AI数据中心对企业级SSD需求持续增长的情况下，消费级NAND价格走势与企业级产品价格走势可能继续出现差异。
2028年存储市场新挑战
对于下游消费 电子 产业而言，比存储价格短期涨跌更重要的问题，是这轮高成本周期究竟会持续多久。
目前，部分存储原厂已经对外作出供应紧张可能长期持续的判断，甚至有观点认为，相关供需矛盾可能延续至2030年。
但MS Hwang对记者指出， 2028年全球存储市场规模可能略有收缩，原因包括新增供应逐步释放，以及持续高企的价格已经开始抑制存储产品的使用量。
这一判断意味着，存储行业未来可能面临供给与需求两端同时发生变化的局面。
在供给端，2027年下半年开始释放的新增产能，有望逐步缓解部分产品的供应紧张；在需求端，存储价格持续上涨，则可能迫使终端厂商降低配置、调整产品组合，甚至削减采购需求。
“我们应当记住2005年iPod nano发布时的案例。当时，存储供应商主动提供了大幅价格折扣，最终成功推动了NAND市场的共同扩张。”他对记者强调。
这一案例反映出，存储产业与终端市场之间并非单纯的价格博弈。通过技术创新、规模增 长和 产业链协同，双方仍有可能创造新的需求空间。
从当前市场变化来看，存储芯片行业正在经历的不仅是一轮传统的价格上涨周期，更是人工智能推动下的一次供需结构重塑。未来存储行业的拐点，或许不只是取决于新增产能何时释放，更取决于高价格能否持续获得下游需求的支撑。
（文章来源：21世纪经济报道）