非易失存储新标杆！三星全球首款5 nm MRAM研发成果亮相
快科技6月18日消息，据媒体报道， 三星电子在2026年度IEEE VLSI研讨会上，首次公开展示了全球首款5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。
与DRAM相比，MRAM在运行速度、使用寿命和量产可行性方面均具显著优势。
据悉， MRAM功耗远低于传统DRAM，更重要的是具备非易失特性——断电后数据不会丢失。
此次展出的5nm MRAM支持-40℃至+150℃的宽工作温度范围，满足AEC-Q100车规标准，三星正按计划稳步推进，目标于2027年实现量产。
今年早些时候，三星已在另一学术会议上展示过8nm MRAM，基于该制程的边缘AI芯片也于今年5月完成流片。从8nm到5nm的快速迭代，显示了三星在新型存储技术领域持续加速的研发节奏。
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