长鑫科技第五代工艺技术平台官宣量产良率爬坡及规模销售仍需时间
长鑫科技第五代工艺技术平台官宣量产 良率爬坡及规模销售仍需时间
2026年09月21日 07:42
作者：
科创板日报记者 郭辉
《科创板日报》9月21日（记者郭辉） 长鑫科技 官宣其第五代工艺技术平台正式实现量产。
长鑫科技 9月20日晚间发布自愿性披露公告称，该公司在2026世界制造业大会上宣布，公司第五代工艺技术平台正式实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品。
据 长鑫科技 方面向《科创板日报》记者介绍称，长鑫科技第五代工艺技术平台（下称“G5平台”）的工艺水平，可比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破，将为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案选择。
G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。 通过四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。
另外，通过变革工艺流程、采用 新材料 ，存储电容深宽比达45:1；开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。
长鑫科技G5微缩工艺的突破，还推动了存储密度实现跨越式提升。《科创板日报》记者获悉，该工艺下的每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。
研发过程中，长鑫存储在现有工艺模块的基础上，创造了独特的 数字孪生 系统，贯穿包括设计、开发、制造、维护等全生命周期的产品研发过程，在这一虚拟研发线中，搭建先进DRAM工艺模型，加速研发进程。同时，在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺上实现突破。
本次2026世界制造业大会上，长鑫科技同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品。现场展出了字节与中兴联合研发的豆包手机——努比亚NaviX Ultra，搭载了长鑫最高速率10667Mbps的LPDDR5X内存。
长鑫科技表示，这是国产10667Mbps高速LPDDR5X内存芯片首次实现量产落地应用。其中单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式 消费电子 等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。
长鑫科技LPDDR6研发及导入进展同样取得了突破。
今年8月，长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，并将首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。长鑫LPDDR6芯片性能较上一代 LPDDR5X实现全面跃升，通过架构创新及数据传输优化技术，充分释放数据传输潜力，峰值速率达12800Mbps，芯片最高容量16GB。
这也是全球LPDDR6产品首次落地商用，标志着中国存储企业首次在高端内存标准上，打破海外厂商长期垄断产品先发的局面，实现全球首发量产。
第五代工艺技术平台实现量产，将有助于长鑫科技进一步丰富产品矩阵、提升核心竞争力、巩固市场地位。长鑫科技表示，截至该公告披露日，公司基于第五代工艺技术平台的量产产品尚未形成规模销售，短期内不会对公司经营业绩产生重大影响。
另外值得关注的是， 长鑫科技第五代工艺技术平台作为全新平台，良率爬坡仍需要一定的周期。
长鑫科技在公告中称：“公司基于第五代工艺技术平台的产品，尚未形成规模销售，新产品导入客户需经过验证与认证周期。”
（文章来源：财联社）