英飞凌将在欧洲建设首座300毫米氮化镓功率半导体量产工厂
总部位于德国慕尼黑的 英飞凌 科技股份公司，将在欧洲打造全球首座基于 300 毫米 晶圆的 氮化镓 （GaN） 功率半导体 量产工厂。作为该项目的一部分，公司计划至 2034 年前，向位于奥地利菲拉赫厂区内现有洁净厂房投入约 11 亿欧元资金。依托已有设施并完成升级改造，可高效、低成本地扩充产能。工厂预计于 2027 年底前启动生产。
英飞凌 本次投资，旨在响应高性能电源方案的爆发式需求增长。 氮化镓 技术可显著提升 AI 数据中心、能源基础设施、电动出行、机器人以及消费电子等场景的能效水平。
配图说明： 英飞凌 奥地利菲拉赫厂区
两年前，英飞凌达成里程碑，成功加工全球首批 300 毫米 氮化镓 晶圆。对比 200 毫米晶圆， 300 毫米 晶圆单片产出芯片数量可达前者的 2.3 倍。如今英飞凌正把这套更高效率的技术落地到面向客户的首座量产工厂。
英飞凌首席执行官约亨・哈内贝克（Jochen Hanebeck）表示：“这笔大额投资，彰显我们坚定助力欧洲半导体生态建设、维护欧洲技术主权的决心。依托 300 毫米晶圆搭建产线，我们将成为全球首家实现氮化镓功率器件规模化量产的企业。我们借此为氮化镓在人工智能、能源基建、电动出行、机器人等大量关键领域的普及铺平道路。”
奥地利联邦总理克里斯蒂安・施托克（Christian Stocker）称：“这是奥地利高科技产业史上规模最大的单笔投资项目之一。该项目不仅印证奥地利优质的营商环境，也保证半导体产业的未来不再仅由亚洲或美国定义，奥地利与欧洲同样拥有话语权。”
奥地利联邦经济事务部长沃尔夫冈・哈特曼斯多夫（Wolfgang Hattmannsdorfer）指出：“当前欧洲芯片产能仅占全球约 10%…… 这项核心技术我们也必须在欧洲本土实现制造。奥地利已经是高能效芯片领域的领跑者；按人口占比计算，奥地利在欧盟半导体产业商业研发投入排名第一。依托本国产业战略，我们将持续巩固优势，不只做新技术研发，还要实现工业化规模制造。芯片行业每一个岗位，能够为更广范围的经济带动 6 个配套岗位。因此我们计划为英飞凌这座新工厂提供最高 3.19 亿欧元扶持资金，资金发放将严格遵循场地配套的资助标准，确保公共资金长期助力奥地利本土价值创造与就业。”
本项目投资获得《欧洲芯片法案》支持，欧盟委员会已批准这笔 3.19 亿欧元的国家补贴。奥地利联邦经济、能源与旅游部预计将在规定时限内出具正式资助承诺。