英伟达联合Meta,攻坚半导体下一代材料
速读:此举意在协助芯片代工厂克服先进制程逼近物理极限的难题,从而为性能更强、制程更小的下一代芯片量产奠定材料基础。
据The Guardian报道, 英伟达 与 Meta 近日宣布达成合作,将携手英国人工智能初创企业CuspAI推进核心材料发现计划,旨在实现半导体领域下一代制造材料的研发突破。
CuspAI曾获得英国政府以及亚马逊创始人杰夫·贝佐斯的战略投资。本月初,该企业完成了4.5亿美元(约30.50亿元人民币)的新一轮融资,使其投后估值攀升至26亿美元(约176.23亿元人民币)。
在三方联合发起的“AI材料铸造厂”项目中,人工智能技术将被用于重塑常规的材料开发流程。具体而言, 英伟达 负责提供最新的大规模GPU加速计算集群,以强大的算力支持复杂的物理化学模拟; Meta 的基础人工智能研究团队则专注于大模型训练及算法优化,从而提高材料筛选的效率与精确度。CuspAI主要利用人工智能模拟来取代传统的实验室试错法,有望把新材料的验证周期由数年缩短至几个月。
针对半导体产业面临的技术瓶颈,该计划将研发重心放在高导热散热材料、芯片内部导电通道材料以及新型介电材料上。此举意在协助芯片代工厂克服先进制程逼近物理极限的难题,从而为性能更强、制程更小的下一代芯片量产奠定材料基础。CuspAI首席执行官Chad Edwards指出,人工智能技术正大幅提升新材料的发现效率,而关键材料的创新历来是半导体产业实现重大跨越的前提。
截至目前,已有45家机构加入“AI材料铸造厂”生态圈,其中包括头部半导体公司、国家级材料研究单位及全球顶尖学术实验室。各方将携手构建开放共享的材料科学数据库,以解决行业内的数据孤岛问题。此外,CuspAI宣布将把区域总部设在新加坡,并预计在未来一年半内,将全球员工总数由120人增加至300人以上,以此加快全球研发网络的构建步伐。
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