无需溢价买ULL内存：微星推High-Efficiency模式，标准EXPO内存延迟降至71.6 ns

IT之家 7 月 31 日消息，微星（MSI）昨日（7 月 30 日）发布博文，宣布在标准 EXPO DDR5 内存上，通过启用 High-Efficiency 模式， 其性能可以媲美 EXPO ULL 内存。

IT之家注：EXPO 是 AMD 推出的内存一键超频技术，专为 AM5 平台和 DDR5 内存设计，通过调整参数和时序，能够更好地契合 AMD 锐龙（Ryzen）处理器的架构特性，发挥平台最大潜力。

而 EXPO ULL 中的 ULL 代表超低延迟，在维持相同的内存频率与主要时序（如 6000 MT/s CL36）的前提下，进一步收紧 tRRD、tFAW、tWTR、tWR、tRFC 等二级和三级次要时序，从而深度压低内存的读写延迟。

微星的测试平台为：

IT之家此前报道，EXPO ULL 内存首发价远超预期，芝奇 DDR5-6000 CL28 新品溢价高达 79%。

微星在博文中表示，默认设置下，时序为 CL30-38-38-96 的标准 EXPO 内存延迟为 79.4 ns；EXPO ULL 内存延迟为 71.4 ns。

启用 High-Efficiency Mode 后，标准 EXPO 内存延迟降至 71.6 ns，接近 EXPO ULL 内存的 71.4 ns。微星称，该模式不会大幅改善 EXPO ULL 内存延迟，因此已使用 ULL 内存套装的用户无需启用。

该功能已纳入 MSI CLICK BIOS X，可在“Overclocking”页面找到。用户可在 Tightest、Tighter、Balance 和 Relax 共 4 档预设中选择。

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