A股相关标的近期普涨玻璃基封装载板成AI算力产业链新风口
A股相关标的近期普涨 玻璃基封装载板成AI算力产业链新风口
2026年06月12日 13:59
近期， 玻璃基板 受到资本市场关注，A股相关标的公司股价整体上涨，尤其在6月5日普遍大涨， 博杰股份 （002975.SZ）、 帝尔激光 （300776.SZ）、 天承科技 （688603.SH）、 彩虹股份 （600707.SH）等公司股价累计实现翻倍。
《中国经营报》记者注意到，2026年普遍被视为 半导体 玻璃基板 商业化验证的元年。6月4日， 台积电 方面在股东会上表示，对于 玻璃基板 先进封装 技术已设有试点产线，标志着玻璃基板CoPoS（ 面板 级封装）、玻璃中介层、TGV（玻璃通孔）等相关技术已从实验室研发阶段进入工程化落地阶段。
而在5月下旬， 京东方A （000725.SZ）与 康宁 签署三年合作备忘录，其中一项合作为玻璃基封装载板。1月， 英特尔 在CES 2026期间发布了全球首款采用玻璃芯载板的商用CPU，为玻璃材料在封装载板层级的量产提供了可行性。
此外，三星电机已向 苹果 供应AI服务器芯片的玻璃基板样品，该样品主要面向基板核心层，用于替代传统有机材料；SK集团旗下专注于 半导体 玻璃基板的公司Absolics正在强化管理层和工程技术团队建设，加快推动玻璃基板商业化。
如果说 台积电 、 康宁 、 英特尔 通向的是 英伟达 （ 台积电 是 英伟达 的芯片代工厂， 英特尔 、 康宁 今年先后获得 英伟达 大笔投资），那么其他则通向了AI时代的 先进封装 ，况且英伟达官方也多次强调了玻璃基板战略的重要性。
光大证券 近日的一份研报指出，玻璃基板凭借其优异特性，逐步成为新一代 先进封装 介质。当前TGV（玻璃穿孔，Through Glass Via）玻璃基板正处于从实验室基础研究向量产工程化跨越的历史性节点，且呈国外进度领先、国内加速追赶态势。
“我们只能说还处于研发阶段。”国内一家玻璃基板公司高管赵鸣（化名）对记者表示， 半导体 封装用的玻璃基板和显示 面板 用的玻璃基板在制造上没有特别之处，主要用于封装的玻璃加工，其中的TGV是一个核心壁垒。
台积电“严选” 就问跟不跟
玻璃基板为何近期在资本市场里的关注度提升？回答这个问题需要先了解一下ABF载板，其是当前高端IC载板的绝对主流，全称“味之素堆积膜载板”，以日本味之素公司研发的ABF绝缘材料为核心，是 AI芯片 、CPU、GPU等高性能算力芯片先进封装（FC-BGA/2.5D/3D/Chiplet）的唯一标配。
华源证券在近期的一份研报中指出，当芯片封装面积持续扩大、互联密度不断攀升时，ABF载板的热膨胀系数（12ppm以上）与硅芯片的热膨胀系数（约3ppm）严重失配，导致有机材料在层压和热循环过程中容易产生翘曲，基板面积越大，翘曲量越难以控制，直接影响光刻和贴片精度。
此外，有机基板表面粗糙度较高，限制了金属线路进一步细化，当线宽线距要求进入2微米以下量级时，有机基板的尺寸稳定性与平整度或难以支撑光刻套刻精度，成为物理限制。玻璃基板是突破基板物理瓶颈的理想选择。
从物理特性看，玻璃的热膨胀系数为3—9ppm/k，与硅芯片的2.9—4ppm/k较为匹配，从而有望解决热循环导致的焊点疲劳问题。玻璃表面粗糙度小于0.1μm，可以确保微细线路的高精度蚀刻。玻璃的杨氏模量在50—90GPa之间，是有机材料的数倍，大尺寸基板也不易变形；从电气性能来看，玻璃作为绝缘体，损耗因子（Df）较传统FR-4有机基板降低10倍，可支持超过112Gbps的高速信号传输，在下一代224Gbps互联场景下，这是有机材料或难以企及的物理极限。
总结来说，玻璃基板兼具低介电损耗、低介电常数、高热稳定性、尺寸稳定性好、可大尺寸 面板 化加工等优势，既能承载高密度电互联，也能集成光互联通道。先进封装中，玻璃基板主要替代硅中介层和有机载板两部分。
就下一代算力芯片先进封装而言，台积电、英特尔、三星电机、SK等巨头集体布局玻璃基板，其中台积电具有行业指向意义，其CoPoS封装方案采用TGV中介层路线，采用方形面板设计，目前已建设CoPoS试产线，预计2028年启动量产。
目前，虽然外界对于台积电CoPoS封装方案知之甚少，但是可以参照其CoWoS（芯片—晶圆—基板封装）的发展路径，后者已成为当前AI/HPC芯片实现逻辑芯片与HBM高效互联的关键方案，其本质是借助中介层将逻辑芯片与HBM整合至同一封装，在不依赖超大单片裸片的前提下实现高带宽、低延迟与高集成度，最后可以看到CoWoS承接住了AI/HPC的需求增长。
根据行业机构Yole的数据，2024年先进IC载板市场规模约142亿美元，预计在AI/HPC、高端IC载板及玻璃芯基板等需求推动下，先进IC载板相关技术市场规模有望于2030年达到约310亿美元。
此外，Yole数据还显示，硅中介层作为CoWoS-S及其他2.5D先进封装的核心互连载体，市场规模预计将从2024年约20亿美元减少至2030年约16亿美元，规模减少主要是因为高端封装互联平台正从传统的大面积硅中介层，向玻璃中介层、硅桥、超高密度扇出封装等多元技术路线演进。
“Rubin架构的性能极限，最终取决于我们能否解决封装基板的物理瓶颈。用了20年的传统有机基板已经支撑不了搭载3360亿晶体管的下一代芯片。”英伟达创始人兼CEO黄仁勋在GTC 2026主题演讲中表示。
按照英伟达的产品路线图，该公司将在2028年推出Feynman架构的GPU，全面采用玻璃基板+TGV+CPO技术组合，解决高带宽与散热瓶颈。这一时间点，与台积电CoPoS产线量产时间高度重合。
CPO是落地速度较快的应用场景
赵鸣表示，用于显示面板和半导体封装的玻璃基板的制造步骤不同，前者主要为“整片大板→切割→镀膜”，工艺非常成熟，后者则是“原片→TGV激光打孔→金属化填充→上下布线（RDL）→切割成载板”，而TGV是其中的核心壁垒。
前述 光大证券 研报也指出，TGV技术为核心。“TGV玻璃通孔的制备是玻璃基板封装的核心工序。相比于传统的物理钻孔、激光直接消融、光敏玻璃等方法，激光诱导深度刻蚀工艺（LIDE）具备高深径比、加工精度和加工效率较高的优势，被认为是当前实现大尺寸、高密度TGV批量制造的最优技术路径。”该研报表示。
而从应用场景看，玻璃基板并非单一产品形态，而是围绕材料衬底—高密度互联—系统级封装形成多层次需求。
广发证券 认为，玻璃基板是从高速光模块向光电共封装（CPO）演进的关键载体。玻璃基板兼具多重优势，适配CPO的大部分需求。传统硅中介层工艺成熟，但TSV制程复杂、成本高，在大面积制备时良率压力上升，且硅作为 半导体材料 在高频场景下容易与衬底产生电磁耦合，影响信号完整性；有机 PCB 则存在高频介电损耗、串扰和热管理问题，难以满足先进光电封装对高速率、低能耗传输的要求。
相比之下，玻璃基板兼具低介电损耗、低介电常数、高热稳定性、尺寸稳定性好、可大尺寸面板化加工等优势，同时具备从可见光到红外波段的高透射率，并可通过离子交换工艺在玻璃内部直接制备低损耗光波导，因此既能承载高密度电互联，也能集成光互联通道，是CPO中较理想的光电混合集成平台。
当前CPO玻璃基板共有两种主流路线：一种是以康宁为代表的光电混合集成方案，它的思路是把玻璃基板做成一个光电共封装平台，玻璃里面不仅有TGV电互联结构，还集成了玻璃光波导，光信号可以在玻璃基板内部传输；另一种是仅作为高性能电互联基板，类似于先进封装中玻璃芯基板的作用，玻璃仅作为高性能电气互联的中间层，不包括基于玻璃本身的波导结构，光通过边缘耦合在PIC中耦合。
光大证券 研报还指出，当前TGV玻璃基板正处于从实验室基础研究向量产工程化跨越的历史性节点，且呈国外进度领先、国内加速追赶态势。
受益于海外半导体巨头TGV技术储备更早，以及康宁等优质玻璃原片供应优势，国外TGV进展领先。从产业链看，一是原片：康宁、肖特、旭硝子等海外巨头占据绝大多数份额，国产替代加快突破。二是设备：包括 激光设备 、电镀设备等。根据公司公告， 帝尔激光 已实现晶圆和面板级TGV封装激光技术全面覆盖； 东威科技 （688700.SH）已交付TGV电镀设备并成功验收。三是其他材料：包括刻蚀添加液、表面清洗剂等。
（文章来源：中国经营报）