瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向AI数据中心、人形机器人等领域
IT之家 10 月 6 日消息，瑞萨电子今日宣布推出公司首款低压氮化镓功率半导体产品。本次推出的产品属 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管系列， 面向 AI 数据中心、人形机器人、工厂自动化和工业电机驱动等应用领域 。
IT之家了解到，瑞萨本次推出的产品有 RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC 和 RTP100E1P2G1FL-DSC，拥有较为优越的硬开关和软开关优值（FOM）性能，相比同类 GaN 器件， 硬开关 FOM 最高降低 35% ， 软开关 FOM 最高降低 63% 。低压 GaN 器件还保持与硅器件兼容的封装尺寸，便于导入现有设计。
同时，该系列产品相比硅基设计，效率提升 1% 至 3%，并消除 Qrr 损耗，开关损耗大幅降低 40% 至 70%。提供多种标准 MOSFET 兼容封装，使客户能够快速从硅 MOSFET 布局迁移到 GaN 方案，无需大幅重新设计 PCB。
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