SiC器件

在这样的背景下，压力重重的Wolfspeed（欧胜）于2026年3月率先发布全球首款商业化10kVSiCMOSFET（CPM3-10000-0300A），将SiC器件耐压等级带入“五位数时代”的同时，推动着SiC竞争从“车规半导体”向“电网级功率半导体”这个全新战场迁移。

另一方面，大型AI数据中心的供电系统越来越多的依赖电池储能和超级电容结合的动态储能系统，对SiC器件的耐压要求将可能大幅超过1700V的限制。

在数据中心机柜前级的供电系统中，未来的应用可以直接从高压交流供电经过SST直接输出800V直流给机柜供电，此时SiC器件的耐压就不仅仅考虑800V直流的耐受范围，可能会面对数千伏的交流供电网络。