英特尔为追赶台积电三星被曝拟推14 A“魔改”工艺14 A 2，引入“双面供电”技术应对21 nm M 0互连挑战

2026年07月07日 09:25

IT之家 7 月 7 日消息，Wccftech 及韩国媒体 ETNews 昨日报道称，英特尔正在评估为下一代 14A 工艺推出特殊的“魔改”工艺 14A2 并进行架构调整。

英特尔正考虑在原定背部供电（BSPDN，Backside Power Delivery）的基础上，同时保留部分前部供电，形成前后双侧供电（Dual Side）方案，以应对更先进制程下互连尺寸进一步缩小带来的技术挑战。

报道称，英特尔原计划在 14A 工艺中采用名为 PowerDirect 的背部供电技术，将供电网络转移至晶圆背面，为晶体管所在的正面释放更多布线空间，从而提升晶体管密度、降低电压损耗，并改善芯片性能。

在作为半节点升级版本的 14A2 工艺上，英特尔计划进一步缩小最低金属互连层（M0）间距，从 14A 的约 28nm 压缩至约 21nm，以提升晶体管密度，并提高 High-NA EUV 光刻设备的经济性。