英特尔押注3 D芯片高层直言先进晶圆难增十倍

2026年10月26日 09:0

快科技10月26日消息，英特尔技术长Pushkar Ranade指出，以全球现有半导体制造设备规模来看，先进制程晶圆产量要扩大10倍并不容易，相比之下，提升至约2倍更具现实可能性。

英特尔高管在访谈中表示，先进制程的发展瓶颈不只在于芯片设计与制程微缩，还涉及极紫外光（EUV）光刻设备、蚀刻与薄膜沉积设备等上游供应能力。若要进一步扩大产能，设备供应链也必须同步成长。

访谈还将焦点延伸至未来20年的芯片制造技术，涵盖英特尔14A制程、高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻、背面供电、互补场效应晶体管（CFET）及混合键合等技术，探讨晶圆厂如何突破现有制造模式限制。

英特尔主管Chris Auth透露，14A制程已研发超过3年，一套先进制程涉及约2000道制造步骤。从研发走向量产，除设备配置与制程优化外，缺陷控制及良率提升也是重要工作，必须确保制程能够稳定投入大规模生产。

英特尔过去曾因10纳米制程延迟面临挑战，原因包括晶体管密度提升目标过于激进，以及同时导入复杂的制程创新。

为降低类似风险，公司如今通过技术成熟度评估与阶段性审查机制，控制单一制程节点同时导入重大创新的数量，提升量产时程可预测性。

在光刻技术方面，High-NA EUV是14A的重要技术选项之一。该技术将数值孔径从0.33提高至0.55，单次曝光分辨能力可提升约1.7倍。

英特尔认为，搭配背面供电技术，High-NA EUV有望减少部分复杂图形所需的多重曝光步骤，但实际是否采用，仍须考量成本及客户芯片设计需求。