英飞凌推出首批基于300毫米碳化硅晶圆的可正常工作功率器件

英飞凌 科技股份公司已在奥地利菲拉赫工厂完成 300mm 碳化硅 晶圆 加工，并制出可正常工作的功率器件，成为首家在规模化量产 晶圆 厂环境中实现该技术突破的企业。该里程碑依托现有硅基制造设备完成。

英飞凌 表示，这一提前实现、得到功能验证的功率器件成果，体现公司持续打造全系列高性能 SiC 功率半导体产品、保障长期供货的战略方向。相比 200mm 晶圆 ，300mm 晶圆芯片制造工艺更先进、生产效率大幅提升；晶圆尺寸更大，单晶圆可产出芯片数量为 200mm 的 2.3 倍。

公司首席执行官约亨・汉贝克（Jochen Hanebeck）称：“我们已经掌握硅、氮化镓，如今又实现 碳化硅 300mm 晶圆工艺，这让我们具备领先优势，能够扩大半导体制造规模，实现盈利增长。”

该成果证明 300mm 碳化硅 工艺具备未来全面工业化量产潜力。 英飞凌 将联合客户与合作伙伴共同规划 300mm SiC 技术路线以及产能爬坡节奏，同时持续推进现有 200mm SiC 制造路线图。英飞凌指出，先进 SiC 功率技术能够为汽车、可再生能源、工业以及 AI 数据中心领域客户提供高性价比、稳定可靠的供货保障。

与此同时，英飞凌在德国德累斯顿基地验证了 冷劈（Cold Split） 工艺在 300mm SiC 上的可行性。相较于传统线切工艺，冷劈技术从碳化硅晶锭上分离晶圆时材料损耗更低、加工时间大幅缩短；同一块晶锭可以切出更多晶圆，降低资本投入。

英飞凌认为，上述两项技术进展，有助于其按照市场需求扩张碳化硅产能，持续匹配客户不断变化的需求。

英飞凌同时布局硅、碳化硅、氮化镓这三大主流半导体材料。10 月 27 日，英飞凌宣布将投入约 11 亿欧元，在菲拉赫建设 300mm 氮化镓功率半导体量产工厂。本次碳化硅技术突破，意味着这套 300mm 平台化思路延伸到了第二种宽禁带半导体材料。

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