极高深宽比刻蚀

值得注意的是，中微这次瞄准了当前存储芯片制造中三个最为迫切的工艺瓶颈：极高深宽比刻蚀的精度与效率、超高层堆叠下的薄膜沉积产能天花板，以及300层以上3DNAND绕不开的“钨转钼”材料革命。