ROHM推出650 V IGBT，降低电动汽车辅助系统损耗

即便碳化硅（SiC）已经在牵引逆变器等高功率场景得到普及，硅基 IGBT 在 电动汽车 领域依旧占有一席之地。 ROHM 推出第四代 650V IGBT 产品系列，主攻车载电动压缩机、高压加热器以及工业逆变器等电源架构应用场景。

该器件集电极‑发射极饱和压降 VCE (sat) 为 1.55V，25℃条件下短路耐受时间可达 7 微秒；车载版本通过 AEC‑Q101 汽车电子可靠性认证。

对于EEPW的读者而言，该系列产品充分说明硅功率器件技术并未被碳化硅替代，仍在持续迭代，尤其适用于 电动汽车 辅助系统。在这类系统中，工程师需要在效率、鲁棒性与成本三者之间取得平衡。

兼顾低损耗与短路耐受能力

ROHM 重新设计器件整体结构，包含制造工艺与边缘终端结构，以此提升电流密度，同时降低导通损耗与开关损耗罗姆半导体...。

根据 ROHM 在 2026 年 8 月 25 日开展的内部调研，1.55V 的 VCE (sat)，是同级别车规级 650V IGBT 中的最低水平罗姆半导体...。

降低导通损耗，通常会牺牲短路耐受能力。ROHM 表示，该系列器件在结温 25℃时依然可以维持 7 微秒的短路耐受时长，给逆变器或加热电路留出充足时间，用于检测过流故障并关断器件。

封装器件与裸晶圆两种选型

初期产品阵容包含 12 颗 TO‑247N 封装器件，分属 RGAxxTS65HR 与 RGAxxTS65EHR 两大系列，另有 10 款裸晶圆产品。ROHM 还在开发 12 款 TO‑247‑4L 封装型号，即 RGAxxTR65HR 与 RGAxxTR65EHR 系列。

目标应用包括车载电动压缩机、PTC 加热器、冷却液加热器，以及工业设备逆变器。

TO‑247N 封装型号与部分裸晶圆产品现已可供样，ROHM 给出的样品单价为 8.5 美元（不含税）。同时官方提供 SPICE 与 PLECS 仿真模型，方便电路设计与仿真验证。

ROHM 计划进一步拓展 650V IGBT 产品线，后续将推出 TO‑263L 表贴封装以及上侧冷却封装版本，面向 PCB 布板空间紧张、热管理约束严苛的设计场景。

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