重要突破中微公司全球首台高选择性刻蚀设备顺利付运
2026-10-22 18:01:46 来源：央广网
近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，股票代码：688012）宣布其又一里程碑：Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机顺利付运国内重要集成电路研发制造客户。芯片架构三维化正成为支持芯片持续缩微的重要动能，而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的最关键工艺之一。针对GAA、3DNAND、3DDRAM等器件工艺需求，中微公司在高选择性刻蚀设备领域的重要突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。
中微公司Primo Domingo采用全对称腔体结构与优化流场设计，在气体注入、温度控制、压力调控等关键环节实现系统整合，确保晶圆表面刻蚀的高度均匀性与工艺重复性。Primo Domingo独特的集成气柜设计，可缩短气体注入距离，实现更快脉冲气体精密控制，提升刻蚀性能。设备内部采用了高抗腐蚀管路与特殊涂层材料以应对工艺所需的高活性刻蚀气体，保障设备长期可靠运行。此外，Primo Domingo配备了双制冷/双加热晶圆基座，支持宽范围精准温控，显著提升了刻蚀工艺的均匀性与稳定性。Primo Domingo同样搭载中微公司量产的PrimoC6V3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔，满足不同刻蚀应用的需求。
该产品的成功付运，不仅进一步丰富了公司在高端刻蚀设备领域的产品矩阵，更有力支撑了集成电路产业在先进工艺节点上的技术攻坚，为客户实现更高性能、更小尺寸的器件制造提供了关键工艺设备保障。
目前，中微公司刻蚀设备全面覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的刻蚀应用，全面覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。介质刻蚀达到60比1，90比1的极高深宽比，硅刻蚀达到140比1的极高深宽比，已经达到国际一流水平。公司行业首创的双反应台（Dual-Station）ICP刻蚀技术，已经达到0.2纳米的单原子水平，相当于一根头发丝直径的30万分之一。
经过长期深耕与技术攻坚，中微公司已经累计开发出54种高端半导体设备，其中包括26种细分的单反应台反应腔和双反应台可单台独立操作的高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机，还包括24种薄膜设备，如各种MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、EPI设备和CMP及先进封装、光学量检测设备等。截至2026年6月底，中微公司已累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上实现量产，设备稳定性、工艺精度、量产适配性获得全球市场充分验证，平台化商业化布局成果丰硕。
中微公司资深副总裁丛海表示：“中微公司开发的一系列刻蚀设备在性能、稳定性等方面满足了客户的高标准要求，并可覆盖国内大多数的刻蚀应用需求。
目前，中微公司平台化战略已全面落地，产品覆盖度持续提升，企业发展迈入规模化新阶段。未来五年计划通过“有机生长和外延扩展”，持续拓宽产品矩阵，覆盖包括刻蚀，薄膜，湿法和量检测设备等约60%以上的高端半导体设备市场，以及70%以上的先进封装设备市场。
从行业发展维度看，AI正驱动全球半导体设备支出持续快速增长。SEMI预计，2026年全球半导体设备销售额将达1659亿美元，同比增长23.2%；2028年将达到2295亿美元，存储相关设备支出有望持续加速扩张。全球晶圆厂加速扩产，三星与SK海力士规划到2030年DRAM产能接近翻倍。Counterpoint Research数据显示，国内存储龙头公司市场份额稳步提升，国产替代空间巨大，未来扩产前景广阔，国内半导体设备厂商有望迎来黄金发展期。
中微公司Primo Domingo的成功付运，标志着国产刻蚀设备正式叩开下一代三维器件制造核心工艺的大门，打破了海外厂商在高选择性刻蚀这一高端细分领域的长期技术垄断。随着AI算力与高性能计算需求持续爆发，GAA、3DNAND、3DDRAM等先进架构加速渗透，刻蚀工艺复杂度与单晶圆设备用量同步提升，全球刻蚀设备市场规模预计将保持稳定增长，市场增量空间持续打开。此前，这类先进三维架构的关键刻蚀工序高度依赖进口设备，是国内集成电路供应链自主可控的突出短板。随着中微公司等企业持续技术攻坚，国产半导体设备正从单一品类的单点突破，向全工艺环节的体系化竞争力升级。
从国家产业战略高度看，半导体设备是支撑数字经济发展、保障产业链供应链安全的核心基石，一直受到国家大力支持。中微公司在高端刻蚀领域的持续突破，是我国高端装备制造领域自主创新的典型缩影，印证了关键核心技术唯有坚持长期主义、深耕底层技术才能实现自主可控。中微公司取得的成绩，不仅为国内半导体产业注入了攻坚克难的坚定信心，更向市场传递出清晰信号：中国半导体设备产业长期成长的确定性与韧性持续增强，将为我国建设制造强国、抢占数字经济战略高地提供坚实的底层支撑。
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