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介质

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之间

但它的实际性能长期受制于一个容易被忽视的部分：半导体沟道与栅极介质之间的界面。

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效果

工程师由此陷入两难：更薄的介质能够提升栅控能力，但激进的介质沉积工艺又会降低载流子迁移率，抹杀沟道本身的固有优势。

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减小介质的等效氧化层厚度（EOT），能够增强栅极静电控制能力，抑制短沟道效应，同时降低工作电压。

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影响

第二，充当原子级缓冲层，抑制高κ介质与半导体之间的有害相互作用。

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