【供应商亮点】博世推出第三代碳化硅芯片，提升电动汽车能效、延长续航里程
2026年05月05日 10:07
博世已正式推出面向电动汽车的第三代碳化硅（SiC）芯片，并向全球汽车制造商提供样片。这些芯片有助于提升电动汽车效率并增加续航里程。博世集团董事会成员、博世智能出行集团主席Markus Heyn表示，碳化硅半导体可精准控制能量流向，并实现效能最大化，新一代碳化硅芯片将助力客户推出动力更强、能效更高的电动汽车。与传统硅芯片相比，碳化硅半导体开关速度更快、运行效率更高，可减少能量损耗，并在电子设备中实现更高的功率密度。
博世表示，其新一代半导体兼具技术优势与经济效益，较上一代产品性能提升20%，同时体积实现大幅缩小。这种小型化设计使得在单片晶圆上产出更多的芯片，博世称这是提升成本效益、推动高性能电子器件进一步普及的关键。自2021年推出第一代产品至今，博世碳化硅芯片全球交付量已突破6,000万颗。
博世持续推进其碳化硅芯片的研发工作，同步扩大制造产能及洁净室规模，作为欧洲共同利益重点项目（IPCEI）微电子和通信技术专项扶持计划的一部分，博世已向半导体业务投资约30亿欧元。其位于德国罗伊特林根的晶圆厂采用先进的200毫米晶圆，研发并生产第三代碳化硅芯片。2023年9月，博世收购了位于加利福尼亚州罗斯维尔的第二座工厂，该工厂配备了最先进的精密生产设备。博世计划向这家美国工厂追加19亿欧元投资，预计该工厂将于2026年生产并交付首批用于客户测试的样片。博世计划利用其位于德国和美国的两座工厂共同保障半导体供应，为汽车行业日益加速的电气化进程打造更稳健、更具韧性的全球供应链，并计划在中期将碳化硅功率半导体的年产能提升至数亿颗级别。
博世依托自身独特的制造专长，在缩小芯片尺寸的同时实现性能大幅提升。公司将1994年率先应用于传感器制造的“博世刻蚀工艺”，成功应用于碳化硅芯片生产领域。该工艺能够在碳化硅中构建出高精度的垂直结构，从而大幅提高芯片的功率密度，这也是博世第三代碳化硅芯片实现卓越性能的决定性因素。