1200VH7

1200VH7的反并联二极管的Qrr也较低，CH3的反并联二极管的Qrr比CH7高118%，CS6则高了96%，使用H7可以降低反向恢复损耗Erec和开通损耗Eon。

1200VH7对比之前的1200VIGBTH3和S6，最多可降低大约50%的开关损耗和20%的饱和压降。

1200VH7系列产品对比之前的1200VH3和S6却有着根本性的性能提升，原因在于H3和S6采用传统的场截止+沟槽栅技术，而1200VH7系列采用了微沟槽元胞技术，侧重降低开关损耗，应用于高开关频率的光储应用，在性能取舍上牺牲了短路能力。

1200VH7的开关损耗较低，H3的Eoff对比CH7增加了50%，CS6则增加了86%。