六氟化钨

其中六氟化钨用于化学气相沉积钨薄膜，六氟丁二烯适配7nm及以下先进制程、3DNAND存储芯片的高深宽比刻蚀，属于半导体国产化重点突破的品类，行业长期受益算力芯片、HBM存储的需求增长，国产化替代空间广阔。