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侨源股份拟落子自贡:31.58亿元布局含氟电子特气,加码半导体材料



速读:公开资料显示,六氟化钨、六氟丁二烯是晶圆制造环节的刚需材料。 其中六氟化钨用于化学气相沉积钨薄膜,六氟丁二烯适配7nm及以下先进制程、3DNAND存储芯片的高深宽比刻蚀,属于半导体国产化重点突破的品类,行业长期受益算力芯片、HBM存储的需求增长,国产化替代空间广阔。
侨源股份拟落子自贡:31.58亿元布局含氟电子特气,加码半导体材料 _ 东方财富网

侨源股份拟落子自贡:31.58亿元布局含氟电子特气,加码半导体材料

2026年11月06日 09:42

   金融投资报记者刘庆华

  11月6日, 侨源股份 (301286)公告,公司拟与自贡市沿滩区人民政府签署招商引资协议,计划总投资31.58亿元,在自贡川南 新材料 化工园区建设高纯度氟系列 电子 特气及配套材料一体化项目,布局六氟化 钨 、六氟丁二烯等 半导体 核心耗材,标志着公司从传统 工业气体 业务,正式向高附加值 半导体 电子 特气赛道转型战略升级。

  公告显示,项目分三期建设,由公司新设全资子公司作为实施主体。一期投资约6.69亿元,规划建设600吨/年六氟化 钨 、200吨/年六氟丁二烯装置,同步配套空分、仓储、 环保 等公辅设施。一期在交地后6个月内开工,开工后18个月建成投产;二期、三期将视一期的技术验证、市场拓展情况再择机推进,远期还规划新增三氟化氮产能,持续扩充 电子 特气产品矩阵。

  公开资料显示,六氟化 钨 、六氟丁二烯是晶圆制造环节的刚需材料。其中六氟化钨用于化学气相沉积钨薄膜,六氟丁二烯适配7nm及以下先进制程、3DNAND 存储芯片 的高深宽比刻蚀,属于 半导体 国产化重点突破的品类,行业长期受益算力芯片、HBM存储的需求增长,国产化替代空间广阔。

   侨源股份 长期深耕大宗 工业气体 ,在空分、气体提纯、危化品运营上积累多年技术与供应链基础,服务覆盖 新能源 、电子等领域。基本面来看,公司主业保持稳健增长。2025年 侨源股份 实现营业收入10.77亿元,同比增长5.24%;归母净利润2.32亿元,同比大幅增长55.80%,盈利水平显著提升。2026年前三季度,公司营收8.93亿元,同比增长12.10%;归母净利润2.03亿元,同比增长12.00%。

  公司表示,本次投资,是公司依托气体主业优势延伸半导体 新材料 业务、寻找第二增长曲线的重要举措,契合国内芯片材料自主可控的产业主线。

  公司同时提示多项不确定性风险:截至公告披露,招商引资协议尚未正式签署,项目落地需要通过土地竞买、环评、安评等一系列审批,还需股东大会审议;电子特气存在严苛的下游客户验证周期长、技术量产爬坡难度大的特点,二、三期建设方案尚未敲定,短期难以贡献业绩。后续项目能否顺利投产、产品能否进入晶圆厂供应链,仍存在变数。

(文章来源:金融投资网)

主题:加码半导体材料|基金|侨源股份拟落子自贡|美股