SK海力士ADR挂牌在即，掌门崔泰源同期寻求会见英伟达、特斯拉高管

华尔街见闻

SK海力士将于7月10日登陆纳斯达克，正式挂牌美国存托凭证（ADR）。此次发行约1779万股，占已发行股份约2.5%，募资规模约43万亿韩元，资金将重点投向HBM产能扩充、先进封装及龙仁半导体集群等关键项目。会长崔泰源将亲赴纽约出席敲钟仪式，期间计划会晤英伟达及特斯拉高管，深化与全球科技巨头的战略协同。

SK海力士正式登陆纳斯达克在即，将AI内存领导地位的叙事直接带入全球资本市场。

据报道，美东时间7月10日，SK集团会长崔泰源将亲赴纽约，出席SK海力士美国存托凭证（ADR）在纳斯达克上市仪式，并与SK海力士总裁兼首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-jung）等高管共同参与开市敲钟。 此次ADR发行规模最终确定为1779万股，约占公司已发行股份的2.5%，预计募资约43万亿韩元。

SK海力士表示，此次上市旨在提升公司在全球资本市场的知名度，争取更合理的市场估值。公司认为，尽管已在AI内存市场确立领先地位，但当前估值仍低于美光。募集资金将全部用于扩大半导体产能及先进封装能力建设。

崔泰源赴纽约，强化AI内存战略叙事

据报道援引行业消息人士，崔泰源此行的重要任务之一，是向全球投资者阐述SK海力士在AI内存领域的长期增长战略，并就深化与全球科技巨头合作展开交流。

外界普遍认为，崔泰源亲自出席上市仪式，不仅体现了集团对ADR上市的重视，也是在全球资本市场进一步强化SK海力士AI内存领导者形象、释放长期增长信心的重要举措。

在美期间，崔泰源预计还将寻求与英伟达及特斯拉高管会面。 今年2月，他曾赴硅谷与英伟达管理层讨论高带宽内存（HBM）、下一代服务器内存模组SOCAMM、NAND闪存以及AI数据中心等合作议题。今年6月，英伟达首席执行官黄仁勋访韩期间，双方再次会晤，并重申长期战略合作伙伴关系。

募资聚焦产能扩张与先进封装

根据SK海力士向美国证券监管机构提交的注册声明，此次ADR最终发行价格于美东时间7月9日确定，并于7月10日在纳斯达克正式开始交易。

公司表示， 募集资金将重点投向龙仁半导体集群首座晶圆厂建设、清州P&T7园区先进封装设施扩建，以及美国印第安纳州AI内存封装工厂建设。 同时，公司还将采购极紫外（EUV）光刻设备，进一步提升先进制程制造能力。

整体来看，此次募资投向高度聚焦于HBM、先进封装及高端制造产能扩张，与SK海力士持续巩固AI芯片供应链竞争优势、满足快速增长的AI内存需求的长期战略保持一致。

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主题：深化与全球科技巨头