纳微半导体与微芯科技合作推出面向AI数据中心的800 V参考设计

随着 AI 数据中心 不断扩容以支撑大功率 GPU 集群，行业正转向 800V 直流机架电源架构 ，以此提升配电效率、提高功率密度，适配新一代服务器设计。为推动该技术落地，美国加利福尼亚州托伦斯市功率半导体企业 纳微半导体 （Navitas Semiconductor Corp） 与亚利桑那州钱德勒市的 微芯科技 （Microchip Technology Inc） 开展合作，共同开发一款用于 AI 数据中心 机架电源的 800V 直流转 6V 直流 参考设计 。

该平台整合 微芯科技 的数字电源控制与安全技术，搭配纳微的 GaNFast 氮化镓功率器件，为开发人员提供一条可行实现路径，打造符合开放计算项目（OCP） 800V 直流标准的高效率电源变换方案。整套方案包含参考硬件、软件以及设计文档，能够降低设计风险、缩短开发周期，加快新一代 AI 基础设施部署。

“AI 基础设施优化，正在推动 数据中心 行业数十年来规模最大的电源架构变革之一。” 微芯科技 数字信号控制器事业部企业副总裁乔・汤姆森（Joe Thomsen）表示。“整个产业生态向更高电压机架电源系统演进，开发者需要经过验证的成熟组件，来降低设计风险、加速创新。我们与纳微的合作融合双方互补技术，助力客户完成技术转型，更快将新一代电源解决方案推向市场。”

这套参考平台的核心器件包含微芯科技 dsPIC33AK 数字信号控制器（DSC） 、TA100 加密认证芯片，以及纳微 GaNFast 场效应管（FET）。dsPIC33AK 可实现高分辨率控制、高速模拟信号处理与安全能力，支持后量子密码算法。器件库支持美国国家安全算法套件 2.0（CNSA Suite 2.0）推荐的后量子密码（PQC）算法，并具备硬件加密加速功能，可满足开放计算项目（OCP）电源及其他联网实时控制设计的需求。dsPIC33AK256MPS306 系列搭载 200MHz 32 位内核与双精度浮点单元（FPU），集成 78 皮秒高分辨率脉冲宽度调制器（PWM），多路 12 位模数转换器（ADC）最高采样速率可达 40MSPS。高速内核与外设可实现快速、确定的控制环路，适配高频、高效率 DC‑DC 电源变换。

这款电源配电板（PDB）原边采用 16 颗 NV6034（650V，17mΩ）GaNFast 场效应管，使用堆叠半桥拓扑。DFN8×8 双面散热封装降低热阻，充分发挥氮化镓器件性能，可实现更大持续输出功率，同时维持极高转换效率。该电源配电板目标满载峰值效率可达 96%，开关频率 1MHz，功率密度达 2100 瓦 / 立方英寸 。

其厚度比手机薄约 20%，超薄外形可以与 GPU 板实现极近距离集成，最大化瞬态响应性能，提升配电效率。纳微表示，这套系统级方案能够把氮化镓技术优势转化为可量化提升：转换效率、功率密度、瞬态性能以及总体拥有成本。采用 800V 直流直接转 6V 直流架构，将传统的 800V 直流‑50V 直流、50V 直流‑6V 直流两级变换合并为单级变换器，实现更高端到端转换效率。

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