采用双面散热技术

2026年9月30日，中国北京讯-全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布率先在业界推出采用双面散热技术的650VGaN器件，面向800V高压直流（HVDC）AI数据中心架构中的高功率密度电能转换。

凭借瑞萨率先推出的采用双面散热技术的650VGaN器件，我们可从器件上下两侧进行散热，并显著缩小占板面积，使设计人员无需重新设计电路板或增加更多散热硬件，即可通过中间总线传输更高功率。

2026年9月30日，中国北京讯-全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布率先在业界推出采用双面散热技术的650VGaN器件，面向800V高压直流（HVDC）AI数据中心架构中的高功率密度电能转换。