天岳先进

在社会层面，天岳先进12英寸碳化硅衬底的成功研发，突破海外技术壁垒，保障我国新能源、算力基础设施产业链供应链安全，带动国内第三代半导体上下游产业集群就业。

业内人士认为，天岳先进的12英寸碳化硅衬底项目的落地，对第三代半导体、半导体材料行业具备较强的复制与推广价值。

在热场设计上，天岳先进采用先进技术，减少长晶试错次数，降低研发阶段能源消耗；

在行业主流物理气相传输法（PVT）存在12英寸场景下热场不均、缺陷高、能耗巨大等痛点的背景下，天岳先进发挥液相法技术路线优势，自主攻克大尺寸籽晶制备、晶体缺陷抑制、高精度研磨抛光全套工艺。