铭芯启睿完成首款高密度、大容量1 T 4 R 1 Gb RRAM芯片流片，正在推进验证
2026年10月14日 16:2
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名额有限，手慢无。让我们共赴可持续之约！ 【点击报名】 新浪科技讯 10月14日下午消息，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片。
据悉，“泰山一号”是MemSilicon将1TnR高密度、大容量新型存储芯片技术从早期研究推向Gb级芯片产品化的里程碑。这一技术路线通过多个阻变存储单元共享选择晶体管，提高单位面积内的存储容量，并利用与CMOS平台完全兼容的后道集成方式，实现了密度、容量和成本兼得。
该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达到30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路，在大容量、高密度与高速读取之间实现了协同突破，为片上高密度大容量新型非易失存储应用提供了具有国际竞争力的解决方案。
目前，“泰山一号”已完成流片，正在推进验证。
“泰山一号”采用了1T4R结构，即一个选择晶体管对应四个阻变存储单元。但共享了晶体管，并不意味着存储单元数量的密度和性能就等比例增加。多个存储单元之间的非目标电流路径、读写干扰，以及不同工作条件下的可靠性，都需要通过器件、工艺和电路设计的共同优化。