氮化镓

严苛测试验证表明，这款全新氮化镓芯粒技术具备可靠的商用落地潜力，可满足实际应用的可靠性标准，能为数据中心、下一代5G及6G通信等领域打造更小巧、更高效的电子设备。

英特尔代工事业部的研究团队展示了首款采用300毫米氮化镓-硅晶圆制成的氮化镓芯粒，厚度仅19微米，将为半导体行业的下一阶段发展提供动力。

英特尔研发出全球最薄氮化镓芯粒，厚度仅19微米2026年04月09日14:17IT之家IT之家4月9日消息，英特尔代工服务（IntelFoundry）刚刚实现了新的里程碑，成功研发出全球首款、也是最薄的氮化镓芯粒（GaNchiplet），厚度仅19微米。

英特尔带来全球最薄氮化镓芯片硅衬底厚度减至19微米2026年04月14日23:58快科技快科技4月14日消息，英特尔近日公布了最新研究成果：基于12英寸（300mm）氮化镓（GaN）晶圆，成功打造出全球最薄的氮化镓芯片。

与传统基于CMOS工艺的硅芯片相比，氮化镓芯片具备硅基材料在物理极限下无法比拟的综合优势。