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中国上海，2026年5月21日—— 东芝 电子元件及存储装置株式会社今日宣布

中国上海，2026年5月21日—— 东芝 电子元件及存储装置株式会社今日宣布，开始提供 1200V 沟槽栅 SiC MOSFET ——

与东芝现有产品相比，TW007D120E将RDS(on)A降低了约58%[3]，品质因数（导通电阻×栅漏电荷，即RDS(on)×Qgd，代表导通损耗和开关损耗之间的平衡）提高了约52%[3]。

凭借这款沟槽栅SiCMOSFET，东芝将助力数据中心及各类工业设备提升能效、降低二氧化碳排放，为低碳社会的实现做出贡献。

针对下一代人工智能数据中心的这些需求，东芝开发了TW007D120E，该产品将有助于降低功耗，并实现电源系统的小型化和更高效率。

东芝开始出货1200V沟槽栅SiCMOSFET测试样品，助力提升下一代AI数据中心效率2026年05月22日14:08电子产品世界中国上海，2026年5月21日——东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiCMOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。