联电宣布推出14奈米eHV FinFET平台助力新一代智能型手机显示技术创新

联华电子今(14)日宣布推出用于显示驱动IC的14奈米嵌入式高压(eHV) FinFET技术平台，并可提供制程设计套件(Process Design Kit, PDK)供客户进行设计导入。此全新制程已于 联电 12A厂完成验证，可提升电源效率与效能，同时缩小芯片尺寸，助力新一代显示技术的发展。

相较于 联电 目前量产中最先进的22奈米制程eHV解决方案，14奈米eHV FinFET平台可降低40%的功耗与缩小35%的芯片面积，进一步延长电池续航力，并支援更小型、轻薄的驱动模块设计，以提供高阶与折叠式OLED智能型 手机显示 应用。在数位电路方面，14奈米平台以FinFET元件取代平面晶体管，并透过最佳化的I/O元件设计与更高的驱动速度，进一步提升电气效能，确保讯号完整性，同时支援高分辨率显示应用所需的高刷新率。此外，优化后的中电压元件具备更小的线宽间距并支援更广泛的电压操作范围，为驱动电路设计提供更高的弹性。

联电 技术研发副总经理徐世杰表示：「显示应用无所不在，市场需求将持续朝向更高画质、更快速度与更低功耗发展。联电很高兴能在显示驱动IC市场中持续领先，此次14奈米eHV平台的推出，是我们首次将FinFET技术导入显示驱动领域，具有重要里程碑意义。随着客户产品功能不断升级，联电将持续以领先的制程技术，协助客户将创新构想化为可量产的成果。」

联电长期在OLED显示驱动IC市场中居于领先地位，目前亦为业界唯一提供最先进22奈米显示驱动IC解决方案的晶圆代工厂。凭借着领先的eHV制程技术、完整的IP资源与强大的设计支援能力，联电以涵盖0.6微米至14奈米的高压制程技术平台，为显示产业提供最完整的解决方案，携手客户共同引领显示新世代。

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