4H-SiC

最近，由IME高频高压中心刘欣宇领导的团队，联合香港大学、伊萨伯斯集团、武汉大学及物理研究所，成功开发出大面积4H/3C-SiC单晶复合基底，突破了低压（<600伏）4H-SiC器件的比导通极限。