晶体管

此外，关于专利209的技术，一位在头部半导体设计公司工作的技术员刘鹏表示，补偿栅极的MISFET（金属绝缘半导体场效应晶体管）及其制造方法对提升氮化镓晶体管的功率密度、开关速度和散热性能至关重要。

然而，高能效计算芯片的发展正遭遇芯片架构、晶体管性能两个重大瓶颈：传统的冯・诺依曼架构已经无法满足高速、高带宽的数据搬运和处理需求，未来的高能效运算芯片必须在硬件架构上进行革新，以适用于神经网络等模型的张量数据运算。

目前成熟的硅基器件技术的运算芯片主要依赖于架构的创新，而基于新材料电子器件的研究，主要集中在提升晶体管的性能，尚未有研究工作将二者结合起来。

碳纳米管具有优异的电学特性和超薄结构，碳纳米管晶体管已经展现出超越商用硅基晶体管的性能和功耗潜力，因此有望成为构建未来高效能运算芯片的主要器件技术。

●性能提升：栅极的全面环绕增强了对电流的控制，无论在何种电压下，都能提供更强的驱动电流，让晶体管开关的速度更快，从而提升晶体管性能；

背面供电技术让晶体管的供电路径变得更加直接，有效改善了供电，减少了信号串扰，降低了功耗。

可以看到，响应是非线性的，当C2直接连接到晶体管的发射极时，增益增加。

可以看到，响应是非线性的，当C2直接连接到晶体管的发射极时，增益增加。