器件

在量芯微1200VGaNHEMT器件的测试中，泰克DPT1000A系统成功表征了其动态导通电阻等关键参数，结果显示即使在800V高压下，动态导通电阻退化也非常有限，证明了器件在高压应用中的巨大潜力。

最近，由IME高频高压中心刘欣宇领导的团队，联合香港大学、伊萨伯斯集团、武汉大学及物理研究所，成功开发出大面积4H/3C-SiC单晶复合基底，突破了低压（<600伏）4H-SiC器件的比导通极限。

IISc纳米科学与工程中心（CeNSE）的研究团队开发了17种特定的钌配合物（RutheniumComplexes），赋予了分子器件前所未有的适应性。

告别晶体管：印度科学家研发新型“智能”分子材料，计算方式直逼人脑2026年01月02日13:52IT之家IT之家1月2日消息，科技媒体scitechdaily今天（1月2日）发布博文，报道称印度科学理工学院（IISc）的研究团队成功开发出一种能像人脑一样“思考”和“记忆”的新型分子器件。

半导体行业半个多世纪以来一直致力于寻找硅的替代品，试图利用分子构建电子器件。

然而，柔性晶硅/钙钛矿叠层太阳电池技术的产业化仍面临两大关键瓶颈：柔性器件的效率与刚性器件存在显著差距；

NSIP984x器件提供5V至5V、5V至3.3V、3.3V至3.3V转换模式，输出电压可通过SEL引脚设置。

NSIP984x器件通过UL1577安全认证，支持5.0kVrms耐压，同时提供高电磁抗扰度和低辐射。

纳芯微电子集成隔离电源的NSIP984x和NSIP954x系列2025年12月31日11:19电子产品世界NSIP984x器件是集成隔离式DC-DC转换器的四通道数字隔离器。

氮化镓器件开关速度极快（可达纳秒级），电压变化率（dv/dt）极高（超过100V/ns），这带来了独特的测试挑战：

氮化镓器件的卓越性能，体现在每一次纳秒级的开关动作中。

泰克的方案已被广泛应用于氮化镓器件的前沿研发中：