三星发布与InGaO合作的亚10纳米DRAM突破，据报道关注0 a/0 b的采用
电子于7月完成了6代10纳米级工艺的1代1c DRAM 开发后，现正推进下一代 DRAM 技术。据 The Elec 报道， 三星 与 三星 先进技术研究院（SAIT）发布了一种实现亚10纳米 DRAM 的新方法，可能适用于0a和0b DRAM。
正如 韩国新闻 2024年底报道，三星计划于2025年发布第六代10纳米1c型HBM4DRAM处理器，随后于2026年推出第七代10纳米1维DRAM，并计划于2027年前推出首款亚10纳米0安DRAM。
《The Elec》援引的一位业内消息人士指出，虽然该技术仍处于研究阶段，且数年内难以进入三星的商业DRAM，但预计将针对10纳米以下的节点，如0a或0b DRAM。
InGaO发挥着关键作用
Elec指出，在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，三星发布了一款“高热稳定性非晶氧化物半导体晶体管”，设计用于亚10纳米外围单元（CoP）垂直通道DRAM。
报道解释说，宣布的DRAM结构采用了CoP设计，将内存单元垂直堆叠在外围电路之上。正如 The Elec 先前指出的，存储单元下方的外围晶体管因堆叠过程中产生的 550°C 高温而受损，性能下降。然而，三星通过采用非晶铟-镓氧化物（InGaO）来克服了这一问题。
据The Elec报道，三星在此次活动中展示了首款采用非晶InGaO的高热稳定性垂直沟道晶体管（VCT），具有100纳米的通道长度，能够承受高达550°C的高温。 三星指出，该晶体管可以集成到单片的CoP DRAM架构中。
报告进一步解释，在氮气环境中将晶体管加热至550°C——这是标准的可靠性测试——该器件几乎没有性能损失。关键指示器称为阈值电压偏移，保持在0.1电子伏以下，意味着晶体管能像新一样继续工作。同样，流经该管的电流依然强劲，没有损坏迹象，报告补充道。
三星通过报告称，InGaO晶体管的耐热能力源于其紧密结合的原子结构，防止离子漂移并确保稳定性能。