英飞凌推出TLVR四相电源模块，专为AI算力高密度供电打造
英飞凌 科技推出业界首款基于 TLVR 的 四相电源模块 ，电流密度突破 2A/mm² ，面向下一代 AI 计算平台。这款全新 TDM24745T OptiMOS 模块将多个电源组件高度集成于紧凑尺寸，精准满足 AI 数据中心日益提升的功率密度需求。
这一发布直指 AI 基础设施的核心瓶颈 —— 高效供电 ，也揭示了半导体厂商如何从系统层面解决规模化挑战。
为 AI 负载提升电流密度
该模块在 9×10×5mm 封装内集成 4 个功率级、1 个跨电感电压调节器电感与去耦电容。高度集成设计使其电流密度超 2A/mm² ，同时支持横向与纵向供电架构。
英飞凌 电源 IC 与连接事业部高级副总裁兼总经理 Athar Zaidi 表示：“AI 负载正以前所未有的速度扩张，对高效、极致紧凑供电方案的需求达到空前高度。TDM24745T 重新定义了大电流稳压的可能性。我们将业界领先的电流密度与 TLVR 技术融入极小尺寸，帮助客户释放更多算力、降低能耗，并加速下一代 AI 数据中心落地。”
该模块峰值电流可达 320A ，适用于大电流多处理器平台与高端 AI 加速器。
TLVR 架构提升效率与布局灵活性
英飞凌 表示，TLVR 架构可实现更快瞬态响应，输出电容需求最多降低 50% ，简化系统设计。电容减少可直接节省 PCB 空间，让设计师分配更多区域给计算资源。
借助 OptiMOS‑6 MOSFET 、芯片嵌入式集成与专属磁芯技术，模块在散热与效率上进一步优化。搭配英飞凌数字多相控制器，可支持灵活可扩展的电源架构，适配快速迭代的 AI 负载。TDM24745T 属于英飞凌完整 AI 电源生态，覆盖从电网到核心的全链路供电，结合硅、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）技术，优化数据中心效率与稳定性。
对 AI 数据中心的系统级价值
随着 AI 基础设施持续扩容，供电已成为关键制约因素。英飞凌通过多功能高度集成与瞬态响应优化，旨在降低系统复杂度并改善总体拥有成本（TCO）。对系统设计师来说，更高电流密度、更少无源器件需求与更高效率，有助于加快部署进度，打造更高密度的算力架构。