三星率先交付全球首款商用HBM 4，速率从11.7 Gbps提升至13 Gbps
就在美光（Micron）刚刚驳斥“ HBM 4被搁置”的传闻后，另一家存储巨头 三星 （Samsung）随即宣布已启动 HBM 4的量产，并开始出货首批商用产品，在这一关键市场中取得先发优势。根据其新闻稿， 三星 利用先进的第六代10纳米级（1c）DRAM工艺和4纳米逻辑芯片制程，从一开始就实现了高良率与峰值性能，无需任何重新设计。
值得注意的是， 三星 强调其 HBM 4可稳定提供 11.7 Gbps 的数据传输速率，比目前行业主流的8 Gbps标准快约 46% 。这也比上一代HBM3E（最高9.6 Gbps）提升了 1.22倍 。此外，公司表示，HBM4的性能还可进一步提升至 13 Gbps 。
与此同时，单个堆栈的总内存带宽也较HBM3E激增 2.7倍 ，最高可达 3.3 TB/s ，进一步巩固了HBM4在高性能计算（HPC）领域的领先地位。
目前，三星已推出 12层堆叠 的HBM4产品，容量覆盖 24GB至36GB 。展望未来， 16层堆叠 版本将把容量上限扩展至 48GB ，确保其产品路线图与客户需求及开发节奏保持同步。
更详细的规格也已披露：据三星新闻稿，得益于 低电压TSV（硅通孔）技术 和优化的电源分配网络，HBM4的 能效提升40% ；同时，其热阻降低10%，散热性能较HBM3E提升30%。
ZDNet指出，依托这一势头，三星电子预计2026年HBM销售额将较2025年增长 两倍以上 ，并正积极扩大HBM4产能。
在成功推出HBM4之后，三星表示， HBM4E 的样品计划于 2026年下半年 提供给客户；而 定制化HBM （Custom HBM）样品则将于 2027年 交付，以满足客户的特定规格需求。
另一方面，据Tom’s Hardware报道，三星的竞争对手SK海力士（SK hynix）早在2026年1月初的CES 2026展会上就展示了业内首款 16-Hi堆叠HBM4 内存封装。该公司强调，其 MR-MUF molding（多层树脂模塑）技术 与HBM4标准支持的 2048位接口 共同实现了更高密度。据报道，SK海力士称其HBM4堆栈运行速率达 10 GT/s ，比JEDEC制定的标准快25%。