“NASA”首席女科学家回国创业，英诺赛科获曾毓群“真金白银”支持闯关IPO
来源：野马财经
三年亏损67亿元。
你或许没注意到，手里的小米、OPPO、荣耀或联想手机能充电快、续航久，背后其实藏着一个“科技小秘密”—— 氮化镓功率半导体。 “氮化镓”是第三代半导体材料，具有高效率、低能耗的特性。凭借这项“黑科技”，英诺赛科顺利得到小米、OPPO、荣耀、联想等客户的青睐。
近日，英诺赛科向资本市场发起冲刺，正式向港交所递交了《招股书》。不仅如此，英诺赛科还是全球排名第一的氮化镓功率半导体公司 （按2023年收入计算）。
英诺赛科背后的灵魂人物是曾任美国宇航局（NASA）首席科学家的 骆薇薇 。她于2017年回国创业，带领公司在 7年内获得了超过60亿元 的融资，连 宁德时代 董事长曾毓群也参与了个人投资 。如今，英诺赛科 估值已达到235亿元 ，一跃成为苏州的 “独角兽” 公司 。
尽管光环加身，但英诺赛科的财务表现却不尽如人意， 过去三年累计亏损达67亿元 ，同时还面临“全球汽车半导体巨头” 英飞凌的专利诉讼压力 。在万众瞩目中，英诺赛科的IPO能否化危为机，创造新的资本故事？
小米、OPPO为客户
公司三年亏损67亿元
氮化镓是做什么的？ 氮化镓不仅让手机充电速度更快、充电器更小巧，还大幅提升了电动汽车的续航能力。此外，它也可以延长智能音箱、摄像头等智能家居设备的使用寿命。
因此， 氮化镓正在成为芯片、半导体行业内的关注焦点。 半导体材料为芯片的基础，在经历了第一代硅材料和第二代砷化镓材料的革新后，第三代半导体材料——氮化镓（GaN）出现。
在这波浪潮中，2017年，专注于氮化镓的公司——英诺赛科成立。其拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地， 月产1万片晶圆，并且是全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的公司。
在消费电子领域，英诺赛科还与 小米、OPPO、vivo、荣耀、联想 等知名品牌合作。此外，公司也进入了 电动汽车和自动驾驶领域 ，推出了100V车规级氮化镓器件，用于激光雷达、汽车电压转换等场景。
目前，英诺赛科的 产品线 涵盖氮化镓分立器件/集成电路、氮化镓晶圆、氮化镓模组。2023年，这三大业务的收入占比相对均衡，分别为1.92亿元、2.09亿元和1.9亿元，占营收的比例均为30%以上。
具体看， 在2022年以前，英诺赛科并没有模组收入。 直到2023年， 宁德时代成为英诺赛科的第一大客户， 模组业务才实现了从0到1.9亿元的变化，其占营收的比例为32.1%。
在宁德时代的“加持”下，到2023年，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体领域排名第一（按2023年收入计算），市场占有率达到33.7%。
报告期内，英诺赛科 营收持续增长 。2021年至2023年，公司营收分别为6821.5万元、1.36亿元和5.93亿元。
净利润方面，虽然英诺赛科的 亏损正在不断收窄，但仍未实现盈利。 2021年至2023年，公司净利润分别为-34亿元、-22.01亿元和-11.03亿元，累计亏损达 67.04亿元。
对此，英诺赛科表示，持续亏损原因在于 生产设备大幅折旧、大额研发开支、销售及营销开支较大 等原因。
具体看，2021年至2023年，公司的销售及营销开支分别为2840万元、6930万元、9010万元。而研发开支正在呈逐年下降态势。 《招股书》显示，2021年至2023年，英诺赛科的研发开支分别为6.62亿元、5.81亿元和3.49亿元，占营收的比重分别为970.02%、426.73%、58.84%，也呈持续下降态势。
与两大巨头打“专利战”
谁动了谁的奶酪？
在国内，拥有小米、OPPO、vivo、荣耀、联想、宁德时代等客户的同时，根据《招股书》可知，英诺赛科也在 加速布局海外市场， 计划在海外设立研发和生产中心，同时建立销售中心，进一步拓展国际业务。为了抢占海外市场，公司组建了63人的团队，专门针对国际知名客户展开重点拓展工作。
截至2023年年底，英诺赛科在全球拥有约700项专利和专利申请，涵盖了芯片设计、器件结构、晶圆制造等核心技术。据科技创新和知识产权信息服务商 “智慧芽”数据显示，公司目前拥有270项发明专利，其中涉及美国地区的专利有99个，占比约36.67%。 这也引起了国际巨头的警惕。
智慧芽
美国的 宜普公司（下称“EPC”） 和德国的 英飞凌 ，两家公司均 指控英诺赛科侵犯了其在氮化镓（GaN）功率器件领域的专利。
具体看， 英诺赛科和 EPC 的 “战役”可以追溯到2023年5月，EPC向美国法院和国际贸易委员会（ITC）同时发起诉讼， 指控英诺赛科侵犯了它的四项核心专利， 并要求赔偿和禁令。
这四项专利涉及氮化镓功率器件的核心技术，不过经过一番较量，EPC主动撤回了其中两项专利的指控，但编号为“8350294”（下称“294”）和“8404508”（下称“508”）的专利依然在审查中。
据“专利数据库”显示，294专利涉及的是 补偿栅极的MISFET（金属绝缘半导体场效应晶体管） ，而508专利更为关键，涉及 增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT） 。
英诺赛科在《招股书》中专门提及到，公司 专有的高散热封装技术 就是为 氮化镓高电子迁移晶体管（HEMT） 而设计，解决了其平面结构以及紧凑尺寸和高功率密度带来的挑战。该技术创造了一种专为氮化镓 HEMT量身定制的独特而高效的散热解决方案。
也就是说，若508的专利被诉侵权，英诺赛科专有的高散热封装技术可能会受影响。
此外，关于专利209的技术，一位在头部半导体设计公司工作的技术员刘鹏表示，补偿栅极的MISFET（金属绝缘半导体场效应晶体管）及其制造方法对提升氮化镓晶体管的功率密度、开关速度和散热性能 至关重要。