MoSe2

因此，实现MoSe2高效的反应可逆性是开发高性能钠离子电池负极的关键。

1)原子级界面耦合工程：首次设计并构建了超薄MoSe2纳米片与原子级分散NiN4Cl活性位点强耦合的二维分级纳米结构，通过Mo-C共价键形成稳固的界面，有效抑制了体积膨胀和MoSe2纳米片的团聚。

本研究发展了一种创新的原子级界面耦合工程技术，成功构建了超薄MoSe2纳米片接枝类石墨烯氮掺杂碳支撑Ni单原子的二维分级纳米结构（MoSe2@NiN4Cl-NC）。

本研究通过独特的原子级界面耦合工程，制备了一种超薄MoSe2纳米片接枝于类石墨烯氮掺杂碳支撑的Ni单原子的二维分级纳米结构（MoSe2@NiN4Cl-NC）。

然而，MoSe2纳米片层间较弱的范德华力使其在循环过程中易发生团聚和结构坍塌，导致Na+离子扩散动力学下降和活性位点减少。

随后通过水热法在其表面原位生长超薄、卷曲的MoSe2纳米片，形成均匀且无团聚的二维分级结构（图1b–

(a)开发MoSe2@NiN4Cl-NC复合材料的工艺示意图。

图1a展示了MoSe2@NiN4Cl-NC复合材料的合成路径。

基于此，所制备的MoSe2@NiN4Cl-NC复合材料表现出优异的倍率性能和循环寿命，即在20.0Ag-1下经过4600次循环后仍保持230mAhg-1的容量。

(k)MoSe2@NiN4Cl-NC结构通过催化限域抑制多硒化物迁移的图示。

(j)二维NiN4Cl-NC纳米反应器促进MoSe2中可逆转化动力学的示意图。

选区电子衍射（SAED，图1h）和EDX元素分布图（图1i）进一步证明了MoSe2的成功复合以及Ni、Cl等元素的均匀分布。

(b,c)FESEM图像，(d,e)TEM图像，(f)HRTEM图像，(g)HAADF-STEM图像，(h)SAED衍射图谱，以及(i)MoSe2@NiN4Cl-NC的EDX元素分布图。