光腐蚀

实验结合DFT计算发现，与传统CdS遭受不可逆的“破坏性”光腐蚀不同，BDCA-ZnCdS的光腐蚀过程是可控且自限的。

这一过程深刻揭示了TMS光催化剂从追求性能到兼顾成本与环境友好性的设计思路转变，为后续3D电子维度与光腐蚀抑制的先进设计理念提供了清晰的背景和发展方向。

IX本征硫配位导向合成方法：破解TMS光催化剂光腐蚀难题的创新策略

这一机理性的突破不仅简化了TMS光催化剂的合成流程，更重要的是，其所带来的增强型M-S键稳定性，可从源头上抑制S空位的形成，从而为根本上抑制TMS光催化剂的光腐蚀、提升其长程光稳定性提供了全新的理论与技术路径。

其二，TMS固有的光腐蚀现象使得S离子极易被光生空穴氧化，造成催化剂结构破坏与活性快速衰减，其稳定性难以满足实际需求。

这一过程深刻揭示了TMS光催化剂从追求性能到兼顾成本与环境友好性的设计思路转变，为后续3D电子维度与光腐蚀抑制的先进设计理念提供了清晰的背景和发展方向。

TMS光腐蚀传统抑制策略：缺陷工程、元素掺杂以及助催化剂负载的作用机制示意图。

VIII光腐蚀的传统抑制策略：掺杂、空位、助催化剂、异质结

如果说图12所总结的抑制光腐蚀的传统策略是在TMS材料内部微调，那么构建异质结则是在更宏观的尺度上，实现其高效分离与定向传输，从而彻底分离掉可能引发光腐蚀的光生空穴。

在此基础上，文章系统梳理了具有3D电子维度的典型TMS体系，并重点总结了基于本征硫配位方向性的合成方法，该方法在抑制S空位形成、增强金属-硫键稳定性方面展现出独特优势，已在CuPbSbS₃、CdS以及ZnCdS固溶体等体系中验证了其对光腐蚀问题的有效抑制。

提出“可控光腐蚀”新概念：针对TMS严重的光腐蚀问题，本文系统阐述了从传统“被动抑制”到积极“主动利用”的范式转变。

针对长期制约其PHE规模化应用的光腐蚀难题，本文创新性地提出并总结了“可控光腐蚀”新策略，通过精准利用而非单纯抑制腐蚀过程，原位生成高活性的催化位点，实现了PHE活性与结构稳定性的协同增益。

开发本征硫配位导向的先进合成路径：基于硫配位导向合成的内在特性，本文展示了抑制硫空位形成、增强M-S键稳定性的有效方法，并在CdS及ZnCdS体系中验证了其抑制光腐蚀的普适性，为规模化应用提供了兼顾效率与稳定性的可行方案。