消息称三星已解决SOCAMM 2翘曲问题，量产进度有望领先美光、SK海力士
据报道， 三星 已攻克其 SOCAMM2 设计中的一项关键技术难题。据 ETNews 援引消息人士透露，该公司已解决 翘曲（warpage）问题 —— 这是下一代 AI 服务器内存模组 SOCAMM2 （System on Chip Advanced Memory Module 2）量产前的主要障碍。报道称， 三星 通过应用自研下一代低温焊料（LTS）技术 解决了该问题。
报道指出，翘曲是指元器件在制造过程中因受热而产生的轻微弯曲，主要由不同材料之间 热膨胀系数（CTE）不匹配 引起。 SOCAMM2 结构尤为敏感，因为它将 LPDDR5X 芯片组装成模组并通过螺栓压紧固定，大幅增加了连接失效的风险。
为解决这一问题， 三星 将焊接工艺温度从 260℃ 以上降至 150℃ 以下 。通过大幅降低峰值温度，有效减小了热膨胀系数不匹配带来的影响。
SOCAMM2 是一款重要的低功耗内存模组，将与 HBM 配合用于英伟达下一代 AI 平台 Vera Rubin 。报道补充称，三星通过在 SOCAMM2 上应用低温焊料（LTS），在研发与量产进度上被认为获得了相对于竞争对手的优势。
除温控外，三星还推出多项设计改良：将芯片配置从 双塔结构改为单塔结构 以提升机械刚性；优化环氧塑封料（EMC）的厚度与热膨胀特性；并采用高精度仿真模型提升翘曲预测精度。
三星、SK 海力士、 美光 SOCAMM2 竞争白热化
AI 半导体市场的竞争正迅速蔓延至 SOCAMM2 领域。《中央日报》称，三星电子正巩固其 业内首家量产 192GB SOCAMM2 的地位。报道援引分析师估算，三星对英伟达的供应量有望达到约 100 亿 GB，占总需求的 50% 左右。凭借 10nm 级第五代（1b）工艺实现的良率与性能稳定，三星预计将在供应份额上领跑。
据 TheElec 消息，SK 海力士正加速在今年转向第六代（1c）DRAM，此举有望支撑其包括 SOCAMM2 在内的 AI 内存产品阵容扩张。与此同时，《中央日报》报道， 美光 已于 3 月初送出全球首款 256GB SOCAMM2 客户样片，容量较三星、SK 海力士的 192GB 旗舰产品提升约 33%。