思来半导体完成12英寸碳化硅激光剥离量产设备规模化交付
近期， 思来半导体 （Silai Semicon） 已完成第三批兼容 12 英寸 碳化硅 （SiC）衬底 的 激光剥离 （LLO）量产设备交付。
公司核心研发团队源自华中科技大学激光科学专业，具备强劲创新能力与多年激光行业深厚技术积累。针对莫氏硬度达 9.5、接近钻石的 碳化硅 单晶，团队自主研发专属 激光剥离 技术，先后推出 6 英寸、8 英寸、12 英寸 碳化硅 衬底量产设备。
相较于行业现有方案，思来设备具备显著技术差异化优势：
业内首创 片上系统（SoC）集成光源架构 ，比传统多光源方案集成度更高、稳定性更强。
配备自由曲面光束整形技术，以及 “白光干涉表面测量 + 逆向算法补偿” 方案，保障高可靠性。
设备可支持不同电阻率碳化硅晶体的工艺定制，能承受更高能量负载， 无老化、寿命无限制、抗干扰能力强 。兼容 6/8/12 英寸衬底，定位精度高，可灵活适配非标准尺寸。设备占地面积仅 1.2 米 ×1.4 米，单机即可完成全流程切割与自动上下料，大幅节省晶圆厂空间，同时实现全自动化高性能运行。
核心优势：效率与成本大幅领先传统工艺
该 激光剥离 工艺性能显著优于传统线锯切割：
产能 ：8 英寸晶圆激光剥离时间低于 15 分钟，速度为传统方式的 20–30 倍。
材料损耗 ：8 英寸晶圆损耗降至 60–80 微米， 降低 60% 。
无耗材与化学药剂 ，无需消耗品。
晶圆产出提升 30% ，单晶圆加工成本 降低 50% 。
不到半年时间， 思来半导体 已交付数十台设备，应用于国内多家头部碳化硅厂商。依托模块化设计与产业协同，公司已实现规模化量产，目前批量交付周期为 28 天，未来有望缩短至 14 天。
值得关注的是， 思来半导体 引入 武汉帝尔激光科技股份有限公司 等战略投资方。帝尔激光是全球精密激光微纳加工设备龙头企业，已推出多款先进半导体解决方案。
双方合作将进一步强化思来在该关键领域的竞争力。与此同时，公司正拓展 硅光核心设备 ，其自主研发的硅光芯片激光隐形切割设备已成功出口海外，有望成为未来旗舰产品之一。