盛美半导体首台PECVD SiCN设备顺利出机，面向后段金属互联工艺

IT之家 4 月 27 日消息，盛美半导体 (ACM Research) 今日宣布，其首台等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 碳氮化硅 (SiCN) 设备已正式出机，现发往客户端进行最终验证。

这款设备专为 300mm（12 英寸）晶圆工艺设计， 可满足 55nm 及以下制程后段金属互联工艺应用和先进封装领域对 SiCN 薄膜的需求 。

IT之家了解到，该设备采用旋转沉积的方式，配置有四个晶圆装载口及三个工艺腔体，每个工位完成总膜厚三分之一的沉积，各工位具备独立的射频系统，最高工艺温度可达 400℃。

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主题：面向后段金属互联工艺